用于微电子和半导体的高适形氮化钨薄膜

    哈佛大学技术发展办公室(OTD)专注于推动校内科研成果的转化,通过知识产权管理、技术许可以及多项加速器计划,为早期技术发展提供支持。项目核心团队包括克里斯托弗·佩蒂博士,他自2017年加入OTD,拥有化学博士学位并具备初创企业经验;以及罗伊·戈登教授,他是哈佛大学化学与材料科学教授,并曾担任纳米系统中心主任。


    本项目涉及一种通过原子层沉积(ALD)工艺制备均匀、光滑且高适形氮化钨涂层的方法。该银色涂层呈现金属特性,导电性良好,可广泛应用于微电子领域,例如作为铜扩散阻挡层、薄膜电容器和场效应晶体管的电极。类似工艺亦可用于沉积氮化钼,适用于X射线镜中与硅交替堆叠的层状结构。相关技术所面向的市场主要包括原子层沉积工艺及其在半导体制造中的应用。


    目前该技术已通过实验验证,技术可行性已证实,并已提交专利申请,申请号为7560581。外方期望以技术转让的形式开展合作。


            
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