莱布尼茨晶体生长研究所（IKZ）位于德国柏林阿德勒斯霍夫，隶属于莱布尼茨协会，是国际知名的晶体材料科学技术、服务和知识转移中心。该所专注于基础研究、应用研究以及工业前研究项目，结合内部专业知识（包括工厂工程、数值模拟和晶体生长），开发创新技术以获得高质量的定制性能晶体材料。IKZ的核心团队由托马斯·斯特劳宾格博士领导，他长期从事氮化铝（AlN）和氧化镓（Ga?O?）等新型半导体材料的研究，并发表了多篇高水平论文及多项相关专利。

    该项目主要为气相生长半导体的晶体生长装置。该装置包括坩埚、加热元件和托板，其中坩埚置于坩埚容器内，用于容纳源材料；加热元件则用于将源材料加热至气态并流向坩埚盖；托板用于放置籽晶，并使气化的源材料在其表面重新升华以生长半导体。通过此工艺生产的半导体（特别是AlN或SiC）具有以下特点：至少90％的体积内位错极少，伯格斯矢量沿<0001>方向分布，且在至少一个方向上直径达到10 mm或更大；同时，c晶格参数的变化范围为0.00060 ?或更小，a晶格参数的变化范围为0.00040 ?或更小。此外，该技术能够降低N极性c面上的生长速率，实现更快的横向表面生长，并制造出缺陷相对较少的半导体。

    目前，该技术已申请专利（专利号：DE102022119343），外方希望通过技术转让和技术许可贸易的方式进行合作。