美国纽约州立大学布法罗分校（University at Buffalo SUNY）是一所公立研究型大学。其下属研究机构包括罗斯威尔·帕克研究所等。
该项目专注于开发基于氧化镓的垂直沟槽MOSFET技术，以满足电网、牵引应用等高压功率器件的需求。传统硅基器件在高压操作中存在局限性，而氧化镓作为一种宽带隙半导体材料，具有实现高效高压运行的优势。美国纽约州立大学布法罗分校与俄亥俄州立大学合作开发的技术采用垂直沟槽MOSFET设计，并引入独特的原位镁（Mg）掺杂电流阻挡层（CBL），克服了氧化镓中浅受主缺乏的挑战。该技术不仅实现了更高的工作电压，还显著提高了效率、稳定性和热性能，适用于高功率应用。其潜在应用场景包括电网用高压直流转换器、电力机车牵引电力电子设备、高压仪器和电动汽车快速充电站等。
目前该技术已达到TRL 6阶段，即系统原型开发完成，准备进行实际环境测试。项目已申请专利（专利申请号：63/717,887）。外方希望通过技术转让和技术许可贸易的方式进行合作，并支持合作研发。
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